|
|
|
|
|
|
|
выводах 1 микросхем, установленных на радиаторы, может достигать 1,5А, а резисторы R4, R5 должны иметь мощность рассеивания не менее 10 Вт. Поскольку КПД источника питания невысок (11...14%), а также из соображений снижения мощности, рассеиваемой на резисторах R4, R5, желательно использовать более высокоомную нагрузку. Так, при RHarp >100 Ом (R4=R5=100 Ом), мощность рассеивания резисторов - 1 Вт, а максимальный ток нагрузки составляет 50мА (при RHarp >10 Ом предельный ток в нагрузке ограничен значением 500 мА). При снижении RHarp ниже минимального значения (вплоть до короткого замыкания) 11вых снижается. Повреждения интегральных микросхем при этом не происходит. Схема может быть легко переделана на более высокое выходное напряжение при использовании интегральных микросхем серий mA7806, mA7809 и т.д. либо их аналогов серии КР142ЕН5, 8, 9. При выполнении потенциометра R2 на кольцевом замкнутом сердечнике с диаметрально подведенными контактами и подключении к оси потенциометра через редуктор электродвигателя, на выходе устройства можно получить медленно меняющееся напряжение синусоидальной или иной формы.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|